（株）東芝とサンディスクコーポレーション（本社：米国カリフォルニア州、CEO：エリ・ハラリ）は、デジタル家電を中心とした幅広いアプリケーションへの搭載で需要が急速に伸長しているNAND型フラッシュメモリの増産と競争力強化を図るため、東芝のメモリ生産拠点である四日市工場（三重県四日市市）内に、生産効率の高い300ミリウェハーに対応した新製造棟が完成した。
新製造棟は、2005年後半に90nmプロセス技術を用いたNAND型フラッシュメモリの量産を前倒して開始し、年末までに月産10,000枚規模に立ち上げる。
その後2007年前半には月産40,000枚に生産規模を拡大する計画で、生産するウェハーは両社で均分する。
なお、新製造棟はさらなる生産設備の追加等によって、月産62,500枚までの生産に対応できるスペースを有している。
新製造棟にかかる投資は、2006年度までに総額約2,700億円を見込んでおり、市況を見極めながら段階的に投資を実施していく計画で、このうち製造装置については、東芝とサンディスクコーポレーションが共同で出資するFlash Partners有限会社の設備として導入する。
両社は、NAND型フラッシュメモリの競争力を確保するために最先端プロセスの製品開発にも注力しており、本年夏には既存の200ミリウェハー対応の製造棟で70nmプロセスを用いた8ギガビット製品の生産を開始する。
300ミリウェハーを用いる新製造棟でも微細化のスケジュールを前倒し、2006年前半から70nm＊プロセスに、2006年秋には次々世代55nmプロセスに移行する計画。
新製造棟の概要
名称：第3クリーンルーム
建物構造：鉄骨造5階建
建家面積：約24,300㎡
延床面積：約113,000㎡
クリーンルーム面積：約34,500㎡
着工：2004年4月
建物完成：2004年12月
量産開始：2005年後半（予定）
