（株）東芝は、半導体メモリの生産拠点である四日市工場（三重県四日市市）において、生産効率の高い300ミリウェハーに対応した新製造棟の建設を開始した。
製造装置も含めた新製造棟にかかる投資総額の計画は、2006年までの4年間で、約2，700億円を見込んでおり、市況を見極めながら段階的に投資を実施する。
このうち、製造装置については、同社とサンディスクコーポレーション（本社：米国カリフォルニア州）が共同で投資する。
新製造棟は、両社で共同開発した最先端90nmプロセス技術を用いたNAND型フラッシュメモリを、2005年度下期から月産10，000枚規模で量産開始する。
フル稼働時の生産規模の計画は、月産37，500枚で、生産するウェハーは両社で均分する予定で、さらなる生産設備の追加等によって、月産62，500枚までの生産に対応できるスペースを有している。
また、新製造棟の製品に適用するデザインルールは、2006年度上期には次世代70nm、2007年には次々世代55nmプロセス技術に順次移行していく計画。
今後も拡大が見込まれる旺盛な需要にこたえるため、新製造棟にかかる投資総額の計画を約2，700億円と、約700億円増額する。
新製造棟の概要
建物構造：鉄骨造5階建
建家面積約24，300m2
延床面積約113，000m2
クリーンルーム面積約34，500m2
着工2004年4月
建物完成2004年12月（予定）
量産開始2005年度下期（予定）
