STマイクロエレクトロニクス（以下：ST）とハイニックスセミコンダクター（以下：ハイニックス）は、中国江蘇省無錫に前工程メモリ製造工場を設立するための合弁会社設立契約に調印した。
新工場はDRAMとNANDフラッシュ製品の製造に特化し、特にハイニックスの安定したDRAM製品の製造力拡大とSTのNANDフラッシュの製造力の拡大を促進する。
18,000m2以上のクリーンルームを設置した最新鋭の工場は、2005年初頭に着工予定で、完成時にはこの工場で約1500人を雇用し、当初は最先端技術を応用した2つの製造ラインを設置する予定。
8インチ･ウエハー・ラインは2006年に、12インチ･ウエハー･ラインは2007年に量産開始予定です。それぞれのラインの生産能力は、月産20,000ウエハーです。この新工場は、コスト競争力の高い生産力と高成長を続ける中国市場への優れたアクセスを実現し、両社の最先端製造能力を補完することになる。
