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東芝/NAND型フラッシュメモリの生産能力増強

2010年07月14日/物流施設

東芝は7月14日、半導体メモリの拠点である東芝四日市工場(三重県四日市)において、NAND型フラッシュメモリの生産能力の増強を目的に、第5製造棟の建設を開始したと発表した。

2011年春に竣工する予定で、東芝とサンディスクコーポレーションは、第5製造棟においても共同で製造合弁会社を設立することで合意している。

NAND型フラッシュメモリは、スマートフォンやSSDなど新しいアプリケーションを中心に需要が増加傾向にあることや、中長期的にも市場拡大が見込まれることから、第5製造棟の建設を開始することにした。需要拡大に迅速に対応できる体制を整える。

第5製造棟の建屋は、東芝単独で建設する。2期に分けて建設を行い、市場動向を踏まえて段階的な投資判断をしていく。製造プロセスは、最先端20nm注台からスタートし、その後順次次世代のプロセスを導入していく。第2期工事完了後の建屋面積は第4製造棟とほぼ同規模の約3万8000㎡を計画している。製造設備の投資については今後両社で検討する。

両社はことし4月から第4製造棟での増産投資を再開するなど、需要拡大に対応する体制構築に取り組んでいいる。中長期的にも市場の拡大が見込まれるため、第5製造棟が稼動するまでに第4製造棟の生産能力をフルにする予定で、第5製造棟での生産開始とあわせ、拡大する需要に迅速に対応する。

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